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Évaporateur rotatif à faisceau d'électrons à quatre poches, série RC, 3 kW, 4 cc, avec bobine de balayage

15.084,00

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Poids 6,4 kg
Opérateurs

Taille

Code HS

8443:1940

Pays

États-Unis

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Équipement de dépôt de couches minces haute performance

Accédez à la précision, à la pureté et à la fiabilité grâce à notre gamme avancée de évaporateurs à faisceau d'électrons, sources de pulvérisation magnétronique et systèmes de dépôt complets.

Sources d'évaporation par faisceau d'électrons

Créez des films d'une uniformité et d'une pureté exceptionnelles grâce à notre technologie d'évaporation par faisceau d'électrons. Chaque source utilise un faisceau d'électrons auto-accéléré généré par un filament de tungstène chaud à potentiel négatif élevé, permettant :

  • Évaporation propre et contrôlée des matériaux
  • revêtements optiques de qualité supérieure
  • Qualité d'image constante pour des applications exigeantes

Sources de pulvérisation magnétronique UHV

Conçues pour offrir flexibilité et performance, nos sources de pulvérisation magnétronique UHV prennent en charge :

  • Fonctionnement des électrons à haute ou basse énergie
  • Matériaux cibles magnétiques et non magnétiques
  • Configurations de magnétrons multiples déséquilibrées
  • Configurations de pulvérisation cathodique à haut ou bas débit
  • Fonctionnement avec des alimentations CC, CC pulsé ou RF

Que vous ayez besoin de précision, de rapidité ou de polyvalence, ces sources vous garantissent des résultats fiables.

Sources de pulvérisation rondes et carrées

Nos sources de pulvérisation rondes et carrées comportent une réseau d'aimants modulaires Conçu pour une uniformité exceptionnelle, ce procédé modulaire permet une optimisation aisée en fonction de vos exigences, garantissant ainsi une épaisseur et une qualité de film constantes.

Moniteurs et contrôleurs de dépôt

Maîtrisez totalement votre processus de revêtement. Nos moniteurs et contrôleurs mesurent épaisseur du film, taux de dépôt, fréquence du cristal avec une grande précision. Plusieurs canaux indépendants vous permettent de :

  • Suivre simultanément différents matériaux
  • Données moyennes des capteurs pour une uniformité améliorée
  • Maintenir des conditions de dépôt stables et reproductibles

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